时间：2025/7/8 19:25:02
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UMX3N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频条件下高效运行。
UMX3N的设计目标是提供一种高性能、低成本的解决方案，适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3A
导通电阻：0.15Ω
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
1. 低导通电阻（Rds(on)）确保在大电流应用中降低功率损耗，提高效率。
2. 快速开关能力使得该器件非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器。
3. 高耐压能力允许其在较高电压环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
4. 小巧的封装设计有助于节省PCB空间，便于系统集成。
5. 具有出色的热稳定性，在高温条件下仍能保持良好的性能表现。
1. 开关电源中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的电子开关。
3. 负载切换与保护电路。
4. LED驱动器中的电流控制元件。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP17N10
