TMG10C60 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高功率、高频率的开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场合。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,具备低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性等特点。TMG10C60 的封装形式通常为TO-220或TO-247,适用于多种工业和消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):10A
功耗(Pd):80W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220、TO-247
TMG10C60 采用先进的沟槽栅极技术,使得其具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.6Ω,这大大降低了在高电流下的导通损耗。此外,该MOSFET具有高耐压能力,漏源电压可达600V,使其适用于高压开关应用。其高栅极电压耐受能力(±30V)也增强了其在高噪声环境中的稳定性。
该器件的热阻较低,具有良好的散热性能,能够在高功率应用中保持稳定的性能。此外,TMG10C60 还具备快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器,有助于提高系统的整体效率。其封装形式(如TO-220或TO-247)也便于安装在散热片上,进一步提升其散热能力。
从可靠性的角度来看,TMG10C60 在设计时考虑了高温和高电流下的长期稳定性,具有较长的使用寿命,并能承受一定的过载能力。这使得它在工业电源、电机驱动和照明系统中具有广泛的应用前景。
TMG10C60 广泛应用于各种需要高电压、高电流和高频开关能力的场合。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外,该MOSFET也适用于需要高效能和高可靠性的消费类电子产品,如高功率LED驱动器、充电器以及家用电器中的控制电路。
在电源管理系统中,TMG10C60 可作为主开关器件,用于实现高效的能量转换和管理。其快速开关特性和低导通电阻特别适合用于提高开关电源的效率。在电机控制应用中,它可以用于H桥电路中的上下桥臂开关,实现电机的正反转和调速控制。
由于其良好的热稳定性和高耐压能力,TMG10C60 也常用于恶劣环境下的工业控制系统,如工厂自动化设备、变频器和不间断电源(UPS)系统中。
TK10A60D、TK10A60S、IRFBC20、STP10NM60ND、FQA10N60C