型号：UTC4N60L-B-TN3-R
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：4A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　栅极电荷（Qg）：典型值38nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值52ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UTC4N60L-B-TN3-R具备优异的电气特性和热稳定性，适用于高电压、高频率的开关电源应用。其最显著的特性之一是高达600V的漏源击穿电压，使其能够稳定工作于标准市电整流后的高压直流母线环境中，如220V AC输入经桥式整流滤波后产生的约300V DC电压平台，具备足够的电压裕量以应对电网波动和瞬态过压情况。该器件的导通电阻在Vgs=10V时最大为2.2Ω，虽然相较于低压MOSFET偏高，但在600V耐压等级的器件中属于合理水平，有助于降低导通损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）典型值为38nC，较低的栅极驱动需求减少了驱动电路的功耗，特别适合用于PWM控制器直接驱动的应用场景，例如反激式（Flyback）或准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构中。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，可通过PCB上的铜箔进行有效热传导，适用于表面贴装自动化生产流程。器件具备优秀的开关特性，输入电容（Ciss）约为1100pF，输出电容（Coss）约为190pF，在高频工作下仍能保持较快的上升和下降时间，从而减少开关过程中的交越损耗。其反向恢复时间（trr）典型值为52ns，配合快速恢复二极管或在连续导通模式下使用，可进一步降低EMI干扰和次级整流管的应力。
　　此外，UTC4N60L-B-TN3-R具有较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在负载突变或短路等异常情况下吸收一定的能量而不损坏，提高了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为2~4V，兼容多种常见的PWM控制IC输出电平，包括3.3V和5V逻辑系统。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下仍能可靠运行。整体而言，该器件在性能、成本与可靠性之间取得了良好平衡，是中小功率开关电源中理想的主开关管选择。

UTC4N60L-B-TN3-R主要应用于各类需要高压、高效开关功能的电源系统中。典型应用场景包括中小功率开关电源（SMPS），如手机充电器、笔记本适配器、家电辅助电源等，作为主开关管在反激式或正激式拓扑中实现能量传递与电压变换。由于其600V的耐压能力，非常适合用于将交流市电（如110V或220V AC）整流升压后的PFC（功率因数校正）电路中，尤其是在过渡模式（TM）或临界导通模式（CRM）PFC设计中，能够高效地进行高频斩波操作，提高输入电流的正弦度并减少谐波失真。此外，该器件也常用于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式反激拓扑中，提供稳定的初级侧开关功能，确保LED光源的亮度一致性和长寿命。
　　在工业控制领域，UTC4N60L-B-TN3-R可用于电机驱动电路中的高压侧开关，驱动小功率直流电机或步进电机，配合H桥或半桥结构实现调速与方向控制。它还可用于逆变器、UPS不间断电源、DC-DC高压转换模块等设备中，承担核心功率切换任务。由于其封装为TO-252，便于通过PCB散热，因此在紧凑型电源设计中具有优势，尤其适合对空间和散热有要求的应用。同时，该器件支持自动化贴片生产，适用于大规模量产，降低了制造成本。在消费类电子产品、智能家居设备、工业传感器供电模块等领域也有广泛应用前景。凭借其高可靠性与成熟的工艺技术，UTC4N60L-B-TN3-R成为许多工程师在中等功率段首选的高压MOSFET解决方案之一。

KIA4N60F3, STW4N60L, FQP4N60L, IRFBC40