FDN339AN-NL 时间：2025/5/21 18:33:20 阅读：5

FDN339AN-NL 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于便携式设备、负载开关、电池供电系统以及需要高效率和小占位面积的应用。
　　该器件广泛用于消费电子、通信产品和工业控制等领域，其卓越的电气性能使其成为设计人员的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　连续漏极电流：0.68A
　　导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：0.8Ω
　　导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：1.2Ω
　　总功耗（Ta）：300mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FDN339AN-NL 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用。
　　3. 高静电防护能力（HBM ≥ 2000V），提高了器件的可靠性。
　　4. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
　　5. 支持高达 30V 的漏源电压，适用于多种低压应用场景。
　　6. 宽工作温度范围，适应恶劣环境条件。
　　7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。

应用

FDN339AN-NL 主要应用于以下领域：
　　1. 便携式电子设备中的负载开关和电源管理。
　　2. 手机和平板电脑等电池供电产品的电源电路。
　　3. USB 端口保护和充电管理。
　　4. 工业控制系统中的信号切换。
　　5. LED 驱动器和小型电机控制。
　　6. 数据通信设备中的电平转换和信号调节。
　　由于其低导通电阻和小封装特点，FDN339AN-NL 在便携式设备和空间受限的设计中表现尤为突出。