容量：256Kbit（32K x 8）
　　组织方式：x8
　　电源电压：3.3V 或 5V（视具体型号而定）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）
　　封装类型：28引脚 SSOP、SOIC 等
　　功耗：典型值为10mA（待机模式下小于10μA）
　　接口类型：并行接口
　　读写控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）

MB83256M SRAM芯片具有多项显著特性，适用于多种嵌入式应用环境。首先，其高速访问时间（最低可达55ns）确保了系统能够快速读取和写入数据，满足对实时性要求较高的应用场景，如高速缓存、数据缓冲等。其次，该芯片支持低功耗运行模式，在待机状态下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的便携式设备或远程控制系统。此外，MB83256M采用CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。其并行接口设计简化了与微控制器、DSP或其他主控设备的连接，降低了系统设计的复杂度。最后，MB83256M提供多种封装选项，便于适应不同的PCB布局需求和空间限制，增强了其在各类嵌入式系统中的适用性。
　　该芯片还支持异步读写操作，允许与不同速度的主控设备进行兼容通信。其片选（CE）和输出使能（OE）信号可有效管理多芯片系统中的存储器访问，避免数据冲突并提高系统效率。MB83256M的设计符合工业级可靠性标准，适用于工业控制、通信设备、医疗仪器、智能仪表等对稳定性要求较高的应用领域。

MB83256M SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统、通信设备中的数据缓冲区、网络路由器和交换机的临时存储、智能卡读写设备、测试与测量仪器、嵌入式音频和视频处理模块等。由于其高速访问和低功耗特性，该芯片也适用于便携式电子设备，如手持终端、数据采集器和远程监控设备。此外，MB83256M还可用于汽车电子系统中的临时数据存储，例如车载导航、车载娱乐系统和车身控制模块。

ISSI IS62C256AL、Microchip 23K256、ON Semiconductor X28C256、Alliance Memory AS6C256、Renesas 62C256