电容值：10μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：±15%
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡涂层
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电容稳定性：中等
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　等效串联电感（ESL）：低

UMV1C100MFD 的一个显著特性是其采用X5R陶瓷介质，这种材料在较宽的温度范围内提供稳定的电容性能。X5R表示该材料在-55°C到+85°C之间，电容值的变化不超过±15%，这使得该电容器非常适合用于对温度稳定性有一定要求但不需要最高精度的应用场景。相比Y5V等介质，X5R在温度稳定性与电容密度之间取得了良好平衡，既保证了较高的单位体积电容量，又避免了极端温度下的大幅容值漂移。这一特性使其在电源去耦、DC-DC转换器输入输出滤波等场合表现优异，能够有效维持系统电压稳定。
　　另一个关键特性是其表面贴装（SMD）封装形式，采用标准0805尺寸（2012公制），便于自动化贴片设备进行高速、高精度组装，适用于大规模生产环境。该封装结构经过优化设计，确保在回流焊接过程中不会因热应力导致裂纹或失效。端电极为三层电极结构（铜-镍-锡），提供了优良的可焊性和长期可靠性，同时防止银迁移问题，提升了器件在潮湿环境下的耐久性。
　　该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频工作条件下仍能保持良好的滤波性能。低ESR意味着更少的能量损耗和更低的发热，有助于提高电源系统的整体效率。尤其在开关电源应用中，作为输入或输出滤波电容时，能够快速响应瞬态电流变化，减少电压波动，提升系统稳定性。此外，尽管其电容值较高（10μF），但在16V额定电压下仍保持较小体积，体现了现代MLCC技术在高电容密度方面的进步。
　　需要注意的是，多层陶瓷电容器存在直流偏压效应，即施加直流电压后实际电容值会下降。对于UMV1C100MFD，在接近16V工作电压时，其有效电容可能降至标称值的60%-70%左右。因此在电路设计中应考虑这一因素，必要时可通过并联多个电容或选择更高初始容值的型号来补偿。总体而言，该器件在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是中等要求应用中的理想选择。

UMV1C100MFD 广泛应用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的电子电路中。最常见的用途之一是作为电源去耦电容，连接在集成电路（IC）的电源引脚与地之间，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。在数字电路（如微处理器、FPGA、ASIC等）中，瞬态电流变化频繁，去耦电容能够提供局部能量储备，减少电源线上的电压波动，从而防止信号失真或逻辑错误。由于其低ESR和快速响应特性，该电容器特别适合用于高速数字系统的电源管理单元（PMU）附近。
　　在DC-DC转换器和开关稳压器电路中，UMV1C100MFD 常被用作输入和输出滤波电容。作为输入电容，它可平滑来自上游电源的脉动电流，减少对前级电路的干扰；作为输出电容，则有助于降低输出电压纹波，提高电源质量。其X5R介质的温度稳定性确保在不同工作环境下滤波效果一致，增强了电源系统的可靠性。此外，在低功耗或中等功率的AC-DC适配器中，也可用于次级侧滤波环节。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等，该电容器因其小型化和高可靠性而备受青睐。这些设备通常空间受限，且要求长时间稳定运行，UMV1C100MFD 在有限空间内提供足够的电容支持，满足多种功能模块的供电需求。同时，其符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适应现代环保制造要求。
　　在工业控制、汽车电子和通信设备中，该器件也常用于信号耦合、旁路和储能应用。例如，在传感器接口电路中，可用于隔直通交；在射频模块中，作为旁路电容去除电源噪声，防止干扰敏感的高频信号路径。总之，UMV1C100MFD 凭借其综合性能优势，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71C106KA01L
　　CL21A106KAQNNNE
　　C2012X5R1C106K