您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PUMH18

PUMH18 发布时间 时间:2025/9/14 20:52:58 查看 阅读:42

PUMH18 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,广泛用于高功率电子应用,如电源转换、电机驱动和工业控制系统。该模块采用先进的半导体技术,具备高效率、低损耗和优异的热性能,适合需要高可靠性和高性能的应用场景。

参数

类型:MOSFET 模块
  制造商:Infineon Technologies
  最大漏极电流 (Id):18A
  最大漏源电压 (Vds):600V
  导通电阻 (Rds(on)):典型值 0.17Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  功耗 (Ptot):典型值 50W
  栅极电荷 (Qg):典型值 28nC

特性

PUMH18 模块采用了 Infineon 的 OptiMOS? 技术,提供卓越的导通和开关性能,使其在高频应用中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的低功率损耗,提高了整体系统效率。此外,该模块具备良好的热管理能力,能够在高温度环境下稳定运行。PUMH18 的设计优化了封装内部的寄生电感,从而降低了开关过程中的电压尖峰,提高了系统的可靠性和安全性。该模块还集成了保护功能,如过温保护和过流保护,适用于要求严格的工业应用。

应用

PUMH18 主要用于各类高功率电源系统,如不间断电源(UPS)、变频器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。其高效的开关性能使其成为高频电源转换器和逆变器的理想选择。在电机控制应用中,它能够提供稳定的输出功率,并确保电机运行的平稳性。此外,该模块还可用于太阳能逆变器和储能系统,以提高能源转换效率。

替代型号

PUMH15,PUMH20

PUMH18推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PUMH18资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PUMH18参数

  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:200mW
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic hFE:10mA
  • 电流, Ic 最大:100A
  • 电阻, R1:10kohm
  • 电阻, R1 PNP:10kohm
  • 电阻, R2:10kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:50
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:100mV