PUMH18 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,广泛用于高功率电子应用,如电源转换、电机驱动和工业控制系统。该模块采用先进的半导体技术,具备高效率、低损耗和优异的热性能,适合需要高可靠性和高性能的应用场景。
类型:MOSFET 模块
制造商:Infineon Technologies
最大漏极电流 (Id):18A
最大漏源电压 (Vds):600V
导通电阻 (Rds(on)):典型值 0.17Ω
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 150°C
功耗 (Ptot):典型值 50W
栅极电荷 (Qg):典型值 28nC
PUMH18 模块采用了 Infineon 的 OptiMOS? 技术,提供卓越的导通和开关性能,使其在高频应用中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的低功率损耗,提高了整体系统效率。此外,该模块具备良好的热管理能力,能够在高温度环境下稳定运行。PUMH18 的设计优化了封装内部的寄生电感,从而降低了开关过程中的电压尖峰,提高了系统的可靠性和安全性。该模块还集成了保护功能,如过温保护和过流保护,适用于要求严格的工业应用。
PUMH18 主要用于各类高功率电源系统,如不间断电源(UPS)、变频器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。其高效的开关性能使其成为高频电源转换器和逆变器的理想选择。在电机控制应用中,它能够提供稳定的输出功率,并确保电机运行的平稳性。此外,该模块还可用于太阳能逆变器和储能系统,以提高能源转换效率。
PUMH15,PUMH20