时间：2025/6/14 14:11:41
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UVK105CG0R5BW-F 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能和快速开关速度的应用场景。该器件采用增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效率。
型号：UVK105CG0R5BW-F
类型：GaN 功率晶体管
封装：TO-252
VDS（漏V
RDS(on)（导通电阻）：0.5Ω
ID（连续漏极电流）：8A
Qg（栅极电荷）：45nC
fSW（最大工作频率）：5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
UVK105CG0R5BW-F 具有以下显著特性：
1. 高效的氮化镓材料使得其能够提供比传统硅基MOSFET更高的开关速度和更低的导通损耗。
2. 超低导通电阻设计，在高频应用中减少热损耗。
3. 快速开关能力支持高达5MHz的工作频率，满足现代高频电力电子设备的需求。
4. 强大的耐压能力，额定600V VDS使其适用于多种高压应用场景。
5. 封装紧凑，适合空间受限的设计环境。
6. 高可靠性，能够在宽温度范围内稳定运行，确保长期使用。
这款 GaN 晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，尤其是高效率的小型适配器。
2. DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备及汽车电子。
3. 无线充电模块，支持更高功率传输。
4. LED 驱动器，用于高亮度照明。
5. 太阳能逆变器中的高频开关组件。
6. 电动工具和其他便携式设备中的电池管理单元。
UVK105CG0R6AW-F
UVK105DG0R5CW-F
STGAP100B
