FST16211 是一款高性能的 N 没有导通沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,同时支持快速开关操作以减少能耗。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,具体取决于制造商的设计要求。它适用于多种工业和消费类电子设备中,能够显著提升系统的效率与稳定性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间:典型值 10ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
FST16211 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻使得功率损耗大幅降低,适合大电流应用。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗,并提升了系统效率。
3. 高可靠性设计确保其能够在恶劣环境下长期稳定运行。
4. 支持高频操作,非常适合现代高效能电源转换需求。
5. 热性能优异,有助于简化散热设计并降低整体成本。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
FST16211 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器,包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路,特别是无刷直流电机控制。
4. 电池管理系统中的负载切换和保护功能。
5. 各种工业自动化设备中的功率调节与控制。
6. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和充电器。
FDP16N20,
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AO3400