时间：2025/7/11 21:07:55
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MA0402CG2R2D500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用DFN封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，适合于开关电源、DC-DC转换器及射频功率放大等场景。其高频率操作能力可以显著减小外部元件尺寸，从而优化整体系统性能。
此型号是现代功率电子领域中的重要组成部分，能够有效提高能效并降低热损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：18nC
反向恢复时间：9ns
工作结温范围：-55℃ to 150℃
MA0402CG2R2D500 使用先进的GaN半导体材料，提供比传统硅基MOSFET更低的导通电阻和更快的开关速度。
该器件支持高达数兆赫兹的工作频率，大幅减少了磁性元件的体积与重量。同时，它的低栅极电荷量有助于降低驱动损耗，并且具有优异的热稳定性，可以在高温环境下长期可靠运行。
此外，其内置的ESD保护功能提升了整体系统的鲁棒性，而紧凑型表面贴装DFN封装也方便了自动化生产和电路板布局。
该型号广泛应用于各类高效能功率转换设备中，例如笔记本电脑适配器、电动车车载充电器以及数据中心电源供应单元。
在可再生能源领域，它也被用于太阳能微型逆变器以提升转换效率。
另外，在工业自动化控制方面，如伺服驱动器和机器人动力模块中也有其身影，因为这些场合需要快速响应时间和精确电流调节能力。
MA0402CG2R2D650
