时间：2025/8/2 6:58:53
阅读：29
AO6411是一款由Alpha and Omega Semiconductor（简称AOS）制造的双N沟道增强型功率MOSFET，采用小型DFN5x6封装形式，适用于高密度电源应用。该器件设计用于高效电源转换器、同步整流器以及负载开关等应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A（每个通道）
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN5x6
AO6411的主要特点包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的双通道设计允许在同步整流或H桥应用中使用单个封装来简化PCB布局。DFN5x6封装提供了良好的热性能，便于散热，同时节省空间，适合紧凑型设计。此外，AO6411具有较高的电流能力，能够在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），支持逻辑电平驱动，使其兼容多种控制器和驱动器IC。AO6411还具有较低的输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高开关速度。
AO6411广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、同步整流器以及工业自动化设备中的功率开关。其高效率和小尺寸封装使其特别适用于空间受限的便携式设备和高密度电源模块。
Si9410BDY-T1-GE3, BSC016N04LS5AG, FDS4410B
