UMK105CH820KV-F 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高电压、大电流场景下的开关和功率转换电路。该型号采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压以及快速开关特性,适用于各类工业及消费电子领域。
该器件采用了 TO-220 封装形式,便于散热管理,同时支持表面贴装和插件安装方式,为设计工程师提供了灵活性。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):820V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):3.6Ω(在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):140W
结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
UMK105CH820KV-F 的关键特性包括:
1. 高击穿电压,适合高压应用场景,例如开关电源、电机驱动和逆变器。
2. 极低的导通电阻 Rds(on),有效降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,能够减少开关损耗并提升高频应用中的性能。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
5. 内置 ESD 保护,增强器件在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动车和混合动力车中的电力电子系统。
6. 各类家用电器中的高压开关电路。
UMK105CH820KV-G, IRF820, STW820