BSS138DW是一种N沟道小信号增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用SOT-23封装,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的稳定性,适用于各种便携式设备和电源管理应用。
BSS138DW属于小型化设计的MOSFET,因其出色的电气特性和紧凑的外形,在现代电子设计中备受青睐。
最大漏源电压VDS:50V
最大栅源电压VGS:±20V
最大漏极电流ID:0.2A
导通电阻RDS(on):4.5Ω(在VGS=4.5V时)
栅极电荷Qg:1nC(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-23
1. 小尺寸SOT-23封装,适合空间受限的应用环境。
2. 高击穿电压(50V),确保在较高电压条件下稳定运行。
3. 极低的输入电容和输出电容,提供快速的开关性能。
4. 低导通电阻(RDS(on)为4.5Ω),减少功率损耗并提高效率。
5. 良好的热稳定性,支持在较宽的工作温度范围内使用。
6. 简单易用,可直接替代多种同类N沟道MOSFET型号。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 数字逻辑电路中的信号切换。
4. 各种便携式电子产品中的电源管理模块。
5. 保护电路中的过流检测和短路保护。
6. 小功率电机驱动和控制电路。
BSS138, BSS84, FDC657N