时间：2025/5/8 18:45:27
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UMH2NTN 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和音频功率放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
这款 MOSFET 采用 TO-252 封装，适合表面贴装技术（SMT），能够显著减少安装空间并提高散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：70mΩ
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），在典型值下为 70mΩ，可降低功率损耗。
2. 快速开关特性，具备较短的开启与关断延迟时间。
3. 高击穿电压设计（60V），确保在高电压环境下运行稳定。
4. 小型化 TO-252 封装，适用于紧凑型电路设计。
5. 支持高频率操作，适配多种高效能应用需求。
6. 具备良好的热稳定性，在高温条件下仍能保持可靠性能。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流/直流转换器的功率级开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 音频功率放大器中的输出级开关。
5. 各种负载开关和保护电路设计。
IRLML6402
FDP5570
AO3400
