时间：2025/8/9 18:24:03
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FMR19N60E是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压能力和较大的电流承载能力，使其成为电源管理和电力电子系统中的理想选择。FMR19N60E通常采用TO-220或类似的封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：19A
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
FMR19N60E具有优异的导通特性和低导通电阻，这使得其在高功率应用中能够保持较低的功耗和发热。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。FMR19N60E还采用了先进的制造工艺，确保了其在高频率开关应用中的性能表现。
该器件的栅极驱动特性较为温和，适合与多种驱动电路配合使用，且在开关过程中能够保持较低的开关损耗。此外，FMR19N60E的封装设计有助于提高散热效率，确保其在高负载条件下也能维持稳定的工作温度。
FMR19N60E广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统以及工业自动化设备。其高耐压能力和较大的电流承载能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动电路和太阳能逆变器等新能源应用领域。
FQA19N60C、IRFGB40N60HD、STF19N60DM2
