ULN2003ADR是高电压、高电流的达林顿晶体管阵列。每个由七个NPN达林顿对组成,具有高压输出和共阴极钳位二极管,用于开关电感负载。ULN2003ADR专为与14V至25VPMOS器件配合使用而设计。该设备的每个输入都有一个齐纳二极管和串联电阻,以将输入电流控制在安全范围内。它的每个达林顿对都有一个2.7kΩ的串联基极电阻器,可直接与TTL或5VCMOS器件一起运行。ULN2003ADR有一个10.5kΩ的串联基极电阻,允许直接从使用6V至15V电源电压的CMOS器件运行。ULx2004A器件所需的输入电流低于ULx2003A器件,所需电压小于ULN2002A设备所要求的。
制造商 | 德州仪器 |
制造商产品编号 | ULN2003ADR |
供应商 | 德州仪器 |
描述 | I2C PWR 继电器 7NPN 1:1 16SOIC |
类别 | 分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列 |
系列 | 汽车,AEC-Q100 |
工作温度 | -40°C~70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
基本产品编号 | ULN2003 |
ULN2003ADR
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | 7NPN达林顿 |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | 1.6V@500μA,350mA |
电流-集电极截止(最大值) | 50μA |
箱/包 | 集成电路 |
引脚数 | 16 |
集电极发射极击穿电压 | 50伏 |
集电极发射极饱和电压 | 1.1伏 |
集电极发射极电压(VCEO) | 50伏 |
目前评级 | 500mA |
最大集电极电流 | 500mA |
最高工作温度 | 70℃ |
最低工作温度 | -20℃ |
通道数 | 7 |
元素数量 | 7 |
输出电压 | 50伏 |
包装 | 剪胶带 |
极性 | NPN |
额定电压(直流) | 50伏 |
高度 | 1.75毫米 |
长度 | 9.9毫米 |
厚度 | 1.58毫米 |
宽度 | 3.91毫米 |
属性 | 描述 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
REACH状态 | 非REACH产品 |
无铅 | 无铅 |
辐射硬化 | 不 |
达到高度关注物质 | 无高度关注物质 |
500mA额定集电极电流(单输出)
高压输出:50V
输出钳位二极管
输入兼容各种类型的逻辑
继电器驱动器应用
继电器驱动器
步进和刷式直流电机驱动器
灯驱动器
显示屏驱动器(LED和气体放电元件)
线路驱动器
逻辑缓冲器
ULN2003ADR符号
ULN2003ADR焊垫
ULN2003ADR 3D模型
ULN2003ADR封装
型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
ULN2004ADR | 德州仪器 | 双极性晶体管 | 晶体管阵列,SOICNPN50V500mA |
ULN2004AD | 德州仪器 | 双极性晶体管 | SOICNPN50V500mA |
ULN2003AD | 德州仪器 | 双极性晶体管 | 达林顿,NPN,50V,500mA,SOIC |
1.ULN2003的芯片是什么?
ULN2003芯片模具。ULN2003以其高电流、高电压容量而闻名,驱动器可以并联以获得更高的电流输出。甚至更进一步,已经完成了将一个芯片堆叠在另一个芯片之上的工作,包括电气和物理两方面。
2.ULN2003A可以用来做什么?
通常它也可用于与步进电机接口,其中电机需要其他接口设备无法提供的高额定值。ULN2003A的典型用途是用于继电器、灯和LED显示器、步进电机、逻辑缓冲器和线路驱动器的驱动电路。
3.ULN2003阵列中有什么类型的晶体管?
ULN2003A是由七个NPN达林顿晶体管组成的阵列,能够输出500mA、50V。它具有用于切换电感负载的公共阴极反激二极管。它可以采用PDIP、SOIC、SOP或TSSOP包装。同一系列中有ULN2002A、ULN2004A以及ULQ2003A和ULQ2004A,设计用于不同的逻辑输入电平。
4.ULN2003中有七对达林顿吗?
ULN2003中的七个达林顿对可以独立工作,但连接到各自收集器的公共阴极二极管除外。ULN2003芯片模具,ULN2003以其高电流、高电压容量而闻名。驱动器可以并联以获得更高的电流输出。