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BF1211WR 发布时间 时间:2025/5/10 14:48:50 查看 阅读:11

BF1211WR是一种NPN型双极性晶体管,广泛应用于模拟和数字电路中。该晶体管主要用作放大器和开关元件。它具有较高的增益和良好的频率响应特性,适用于多种电子设备中的信号放大和开关控制。BF1211WR在射频(RF)应用中表现尤为突出,适合低噪声放大器和其他高频电路。
  该晶体管的封装形式通常为TO-92或SOT-23等小型化封装,使其能够适应紧凑型设计需求。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):0.1A
  直流电流增益(hFE):250~600
  功率耗散(Ptot):310mW
  过渡频率(fT):700MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃

特性

BF1211WR具有以下显著特性:
  1. 高增益:其直流电流增益范围为250至600,保证了优秀的放大能力。
  2. 高频性能:过渡频率高达700MHz,非常适合用于高频和射频应用。
  3. 小型化封装:采用TO-92或SOT-23封装,节省空间且便于安装。
  4. 稳定性好:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  5. 低噪声:在射频电路中表现出较低的噪声水平,适用于对信号质量要求较高的场合。

应用

BF1211WR的应用领域非常广泛,主要包括:
  1. 射频放大器:由于其高增益和高频性能,常用于无线通信设备中的低噪声放大器。
  2. 开关电路:可用于数字逻辑电路中的开关元件。
  3. 音频放大器:可作为音频信号放大的驱动级或输出级晶体管。
  4. 调制解调器:在调制解调电路中起到信号处理的作用。
  5. 传感器接口:在传感器信号调理电路中提供必要的放大功能。

替代型号

BF1210, BF1212

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BF1211WR参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压6 V
  • 闸/源击穿电压6 V
  • 漏极连续电流0.03 A
  • 配置Single Dual Gate
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-343-4
  • 封装Reel - 7 in
  • 下降时间55 ns
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散180 mW
  • 上升时间25 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 零件号别名BF1211WR,115