时间：2025/9/1 20:38:28
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H9TQ52ADFTMCUR-KUM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片广泛应用于需要高性能内存的电子设备中，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和消费类电子产品。它是一款LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）类型的DRAM，专为低功耗、高带宽和高密度存储需求而设计。
容量：8Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
引脚数：153
电压：1.1V / 1.5V
数据速率：3200Mbps
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，采用先进的工艺制造，具备较高的数据传输速率和稳定性。该芯片的LPDDR4接口支持高达3200Mbps的数据速率，能够在移动设备和嵌入式应用中提供出色的性能表现。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，以延长设备的电池续航时间。其1.1V核心电压和1.5V I/O电压设计，有助于降低整体功耗并提高能效。芯片内置温度传感器，支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，确保在不同环境温度下的数据完整性。此外，H9TQ52ADFTMCUR-KUM 采用153-ball FBGA封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网设备、车载信息娱乐系统、嵌入式系统以及其他需要高性能低功耗内存的电子设备。
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 可以被 H9TQ52ADFTMCUR-NEC、H9TQ52ADFTMCUR-NEE 或 H9TQ52ADFTMCUR-KUM 替代。
