H9TQ52ADFTMCUR-KUM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片广泛应用于需要高性能内存的电子设备中,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和消费类电子产品。它是一款LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)类型的DRAM,专为低功耗、高带宽和高密度存储需求而设计。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
封装类型:FBGA
引脚数:153
电压:1.1V / 1.5V
数据速率:3200Mbps
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,采用先进的工艺制造,具备较高的数据传输速率和稳定性。该芯片的LPDDR4接口支持高达3200Mbps的数据速率,能够在移动设备和嵌入式应用中提供出色的性能表现。此外,该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,以延长设备的电池续航时间。其1.1V核心电压和1.5V I/O电压设计,有助于降低整体功耗并提高能效。芯片内置温度传感器,支持温度补偿自刷新(TCSR)功能,确保在不同环境温度下的数据完整性。此外,H9TQ52ADFTMCUR-KUM 采用153-ball FBGA封装,尺寸小巧,适合高密度PCB布局。
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网设备、车载信息娱乐系统、嵌入式系统以及其他需要高性能低功耗内存的电子设备。
H9TQ52ADFTMCUR-KUM 可以被 H9TQ52ADFTMCUR-NEC、H9TQ52ADFTMCUR-NEE 或 H9TQ52ADFTMCUR-KUM 替代。