封装类型：DIP
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　最大输出电流：1.5A（峰值）
　　输入逻辑兼容性：CMOS/TTL
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　死区时间：可编程
　　传播延迟：约120ns
　　输出电压摆幅：VCC 至 VEE
　　驱动能力：高边和低边独立驱动

IR9311N 采用了高集成度的设计，能够提供高边和低边MOSFET的独立驱动功能，支持多种功率转换拓扑。该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。
　　此外，IR9311N 具有较强的抗干扰能力，输入信号通过电平移位技术传递到高边驱动器，确保在高压环境下也能稳定工作。芯片内部还集成了自举二极管，简化了外围电路设计。
　　其输出驱动能力高达1.5A，能够快速开关MOSFET，降低开关损耗。IR9311N 的传播延迟时间短，提高了系统的响应速度和效率，适用于高频开关应用。同时，该芯片具有良好的热稳定性和过温保护特性，确保在恶劣环境下依然可靠运行。

IR9311N 广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-AC逆变器、电机驱动器、电源模块、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及新能源汽车电驱系统等。
　　在电机控制领域，IR9311N 常用于三相桥式驱动电路，为功率MOSFET提供高可靠性的驱动信号。在太阳能逆变器中，它被用于高效驱动高频开关器件，提升整体转换效率。
　　由于其高集成度和优良的保护功能，IR9311N 也被广泛应用于各种工业电源和智能功率模块（IPM）中，为设计者提供灵活且高效的解决方案。

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　　 "IR2113S",
　　 "IRS21844",
　　 "LM5113",
　　 "FAN73933"
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