电容值：470μF
　　额定电压：1V
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C）或 X7R（-55°C 至 +125°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　尺寸代码：未明确标注（推测为小型化尺寸如0805、1210或更大尺寸以支持高容值）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值显著下降（典型MLCC行为）
　　等效串联电阻（ESR）：低（具体数值需查 datasheet）
　　等效串联电感（ESL）：低
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
　　生命周期状态：量产或已停产（需确认最新供货状态）
　　符合标准：RoHS合规，无铅

UBX1K471MHL作为一款高电容值、低电压的多层陶瓷电容器，具备出色的电容密度和频率响应特性。其核心优势在于采用了高介电常数的铁电陶瓷材料（如改性钡钛酸盐），通过精密的流延与叠层工艺实现超薄介质层堆叠，从而在有限体积内达到高达470μF的电容值。这种设计特别适用于现代低电压、大电流供电系统中的瞬态响应补偿和噪声滤除。该器件在DC偏压下的电容保持率虽然低于理想状态，但在同类X5R/X7R材质产品中仍表现出相对稳定的性能。其低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）使其在高频去耦应用中优于传统铝电解电容或钽电容，能够有效抑制开关电源产生的高频纹波和尖峰干扰。
　　该电容器具有良好的机械强度和热循环耐受性，采用全密封结构设计，防止湿气侵入，提升了长期使用的可靠性。其端电极采用铜内电极+镍阻挡层+锡外涂层结构（Cu-Ni-Sn），不仅增强了可焊性，还有效防止了银迁移问题。在实际应用中，该器件对PCB布局和焊接工艺有一定要求，尤其是在回流焊过程中需要遵循JEDEC标准温度曲线，避免快速升温导致内部产生微裂纹。此外，由于其铁电介质的非线性特性，在施加直流偏置电压时，实际可用电容会明显低于标称值——例如在接近1V的工作电压下，电容值可能衰减至初始值的50%甚至更低，因此在设计时必须参考制造商提供的DC偏压曲线进行降额计算。
　　另一个重要特性是其电压系数效应和老化特性。X5R/X7R类陶瓷电容会随着时间推移发生轻微的电容衰减（通常为每十年约2.5%），且每次加热超过居里点后重新冷却都会重置老化过程。这一现象在精密定时或滤波电路中需予以考虑。尽管如此，UBX1K471MHL凭借其小型化、高可靠性和免维护特点，已成为替代传统电解电容的重要选择之一，尤其适合高密度组装环境。同时，该器件不具备极性，安装时无需区分正负极，进一步简化了生产流程。

UBX1K471MHL主要应用于需要大容量去耦和滤波功能的低电压数字电路中。典型使用场景包括移动设备中的SoC（系统级芯片）电源轨旁路，例如智能手机和平板电脑的处理器核心供电网络（Vcore），用于吸收动态负载变化引起的电流突变，维持电压稳定性。此外，它也常见于DDR内存接口的电源滤波电路中，帮助降低高速数据传输带来的电源噪声，提高信号完整性。在便携式消费电子产品如TWS耳机、智能手表和可穿戴设备中，该电容器因其小尺寸和高电容特性而成为优化空间利用的理想选择。
　　在电源管理系统中，UBX1K471MHL可用于DC-DC转换器的输入和输出端滤波，特别是在单相或多相降压（Buck）变换器中，配合其他小容值电容形成多级滤波网络，以覆盖从低频到高频的宽广噪声频谱。它还可用于FPGA、ASIC等复杂集成电路的多个I/O电源域去耦，确保各模块独立稳定运行。在工业控制和通信模块中，该器件适用于FPGA供电、PHY芯片旁路以及传感器信号调理电路的电源净化环节。
　　由于其1V额定电压限制，UBX1K471MHL不适合用于高于此电压的场合，否则可能导致介质击穿或寿命缩短。因此，其应用场景主要集中于现代低功耗、低电压趋势下的先进半导体供电系统。随着芯片工艺节点不断缩小，核心电压持续降低（如0.8V~1.2V），此类低压大容量MLCC的需求日益增长。该器件还可用于电池管理IC、音频编解码器、摄像头模组供电等子系统的电源滤波，提升整体系统能效与电磁兼容性（EMC）表现。