时间：2025/12/26 10:52:35
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SBR20M100CTFP是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Rectifier），采用先进的平面技术制造，专为高效率电源转换应用而设计。该器件由两个共阴极连接的肖特基二极管组成，封装形式为TO-277B（也称为DPAK-3L），具有优良的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的应用场景。其额定平均正向整流电流为20A，最大反向重复电压可达100V，适用于开关模式电源、DC-DC转换器、逆变器以及续流和极性保护电路等场合。SBR20M100CTFP具备低正向压降特性，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统整体能效。同时，该器件对瞬态过电压具有良好的耐受能力，并通过了多项可靠性测试，确保在工业级温度范围内稳定运行。由于其优异的热性能和电气性能，SBR20M100CTFP广泛应用于通信设备、服务器电源、光伏逆变器及电动工具等领域。
类型：双共阴极肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均正向整流电流（IF(AV)）：20A（单管）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms半正弦波）
最大直流阻断电压（VR）：100V
最大正向压降（VF）：0.82V @ 20A, TJ=125°C（每芯片）
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, TJ=125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装形式：TO-277B (DPAK-3L)
引脚数：3
安装方式：表面贴装（SMD）
SBR20M100CTFP的核心优势在于其卓越的低正向压降与高温稳定性之间的平衡。该器件采用优化的肖特基势垒结构，显著降低了载流子注入势垒，从而在大电流工作状态下实现更低的导通损耗。在20A电流和125°C结温条件下，典型正向压降仅为0.82V，相较于传统硅快恢复二极管可大幅减少功率损耗，提高电源系统的转换效率。此外，其双共阴极配置使得在同步整流或中心抽头整流拓扑中能够简化PCB布局并减少寄生电感，进一步提升高频工作的稳定性。
该器件具备出色的热管理能力，TO-277B封装内置大面积铜片用于散热，结合底部裸露焊盘设计，可通过PCB高效传导热量，支持长时间满载运行而不发生热失效。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使其能够在极端环境温度下可靠工作，适用于严苛工业和户外应用场景。同时，SBR20M100CTFP具有较低的反向恢复时间与几乎无反向恢复电荷的特点，有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有助于提升系统EMC性能。
在可靠性方面，该产品经过严格的晶圆级和封装级筛选测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）及温度循环等实验，确保长期使用的稳定性。其材料符合RoHS环保要求，并支持无铅回流焊接工艺，兼容现代自动化生产线。此外，器件内部金属化层采用抗电迁移设计，增强了在高电流密度下的寿命表现。这些综合特性使SBR20M100CTFP成为中高功率密度电源设计中的理想选择。
SBR20M100CTFP广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电力电子系统中。典型应用场景包括中高功率开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信整流模块和工业电源中作为输出整流级使用。其低VF特性和良好热性能特别适合用于非隔离式DC-DC变换器，如降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中的续流与箝位二极管。在光伏逆变器中，该器件可用于旁路二极管或防反接电路，防止电池板阴影导致的热斑效应并提升系统安全性。
此外，SBR20M100CTFP也常用于电机驱动器和UPS系统中的自由轮转（Freewheeling）二极管，以吸收感性负载产生的反电动势能量。在电动汽车充电桩和车载充电机（OBC）辅助电源中，该器件因其高可靠性与耐高温能力被广泛采纳。由于其表面贴装封装形式，非常适配自动化贴片生产流程，因此在追求高集成度和小型化的现代电子产品中具有明显优势。在LED照明电源、医疗设备电源模块以及高端消费类电源适配器中也有广泛应用。
SR20M100CTFP
SBR20M100CT
