型号: IXFX48N50P
　　封装类型: TO-247
　　漏源电压(VDS): 500V
　　漏极电流(ID): 48A @ 25°C
　　栅源电压(VGS): ±30V
　　导通电阻(RDS(on)): 165mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(VGS(th)): 4.0V ~ 6.0V
　　最大功耗(PD): 350W
　　工作结温(TJ): -55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss): 4000pF @ VDS=250V, VGS=0V
　　输出电容(Coss): 130pF @ VDS=250V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr): 175ns

IXFX48N50P具备卓越的电气和热性能，其核心优势在于高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。该MOSFET的漏源击穿电压高达500V，能够可靠地工作在高压直流母线环境中，例如在三相逆变器或离线式开关电源中作为主开关器件使用。同时，其典型的导通电阻仅为165mΩ，在48A额定电流下可显著降低导通损耗，提升系统能效。这种低RDS(on)特性也意味着在相同功率等级下可以减少并联器件数量，从而节省PCB空间和整体成本。此外，该器件采用了先进的工艺技术，确保了参数的一致性和批次稳定性，有利于大批量生产的质量控制。
　　另一个重要特性是其优异的开关性能。IXFX48N50P具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得它在高频开关应用中能够快速开启和关断，减小开关过渡时间，进而降低开关损耗。这对于提高电源系统的转换效率至关重要，尤其是在轻载和满载条件下都能保持较高的效率水平。同时，其输入电容和输出电容较小，有助于减少驱动电路的能量消耗，并降低电磁干扰（EMI）的风险。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关测试（UIS）中承受一定的重复性能量冲击，增强了系统在异常工况下的安全性。
　　热管理方面，IXFX48N50P采用TO-247封装，具有较低的热阻（RθJC典型值约为0.36°C/W），能够有效地将芯片产生的热量传导至外部散热器。这一特性使其可以在高环境温度下持续运行而不会发生热失控。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业和户外环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度（trr约175ns），可在同步整流或续流路径中提供较好的性能表现，避免因反向恢复电荷过大引起的电压尖峰和额外损耗。总体而言，IXFX48N50P是一款集高电压、大电流、低损耗和高可靠性于一体的功率MOSFET，适用于多种高端电力电子应用。

IXFX48N50P广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用场景包括工业用开关模式电源（SMPS），尤其是大功率AC-DC和DC-DC转换器，其中该器件常被用作主开关管，承担能量传递的核心任务。在太阳能光伏逆变器中，IXFX48N50P可用于DC-AC转换级，特别是在单相或三相桥式拓扑结构中，凭借其高耐压和良好的热稳定性，确保系统在长时间运行中的可靠性和效率。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET也常用于逆变器和旁路切换电路，支持市电与电池之间的平稳切换。
　　在电机驱动领域，IXFX48N50P适用于中等功率交流感应电机或永磁同步电机的逆变驱动模块，尤其在变频器和伺服驱动器中表现出色。其快速开关能力和低导通损耗有助于实现精确的PWM控制和高效的能量利用。在电动汽车充电设备（如车载充电机OBC或充电桩内部电源模块）中，该器件同样发挥着重要作用，支持高电压平台下的高效能量转换。此外，它还可用于感应加热、电焊机、激光电源等特种电源设备中，这些应用通常要求器件具备强大的瞬态耐受能力和稳定的长期运行性能。
　　由于其出色的抗雪崩能力和抗短路能力，IXFX48N50P在面对负载突变、线路故障或浪涌电流等异常情况时仍能保持较高的生存率，因此特别适合部署在对安全性和可靠性要求极高的工业控制系统中。另外，该器件也可用于高电压脉冲电源、X射线发生器、静电除尘等特殊高压设备中，作为高速开关元件实现精准的能量释放与控制。总之，IXFX48N50P凭借其全面的性能指标和坚固的封装设计，已成为众多高端功率电子系统中的首选器件之一。

IRFP4868
　　STW48N50
　　FQP48N50