时间：2025/9/5 20:45:06
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LTL2H3VHKNT是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的功率应用而设计，适用于需要较高电流和电压处理能力的电路系统。该MOSFET采用紧凑型封装设计，便于在空间受限的环境中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.3A
导通电阻（Rds(on)）：125mΩ @ Vgs=10V
封装类型：SOT-223
工作温度范围：-55°C至150°C
LTL2H3VHKNT具有低导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。其快速开关特性有助于提升高频应用中的性能，同时降低开关损耗。
此外，该器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在高要求的工业和汽车应用中使用。
该MOSFET的SOT-223封装形式使其易于进行表面贴装，适用于自动化生产流程。同时，其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，并提升整体设计的灵活性。
在电气特性方面，LTL2H3VHKNT具备较高的栅极击穿电压（±20V），增强了抗过压能力，从而提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
LTL2H3VHKNT广泛应用于各类功率管理电路，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路等。
它也适用于便携式电子设备中的电源管理模块，以提供高效能的功率切换解决方案。
此外，该器件还常见于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动电路和车载信息娱乐系统的电源管理部分。
Si2302DS, AO3400, FDS6680, NTD14N03RT
