型号：TZA1045TM
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7.0A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(ON)）：9.0mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：850pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@VDS=15V）
　　二极管正向电流（IS）：2.0A
　　最大工作结温（Tj）：150℃
　　封装类型：S-Mini（超小型表面贴装）
　　热阻（Rth(j-c)）：3.5℃/W

TZA1045TM采用了东芝先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过在硅片上形成垂直的沟槽栅极，显著提升了单位面积下的载流能力，从而实现了极低的导通电阻。这不仅减少了器件在导通状态下的功率损耗，还提高了整体系统的能效表现，特别适用于电池供电设备中对节能要求严苛的应用。其典型的RDS(ON)仅为9mΩ（在VGS=10V条件下），即使在低栅极驱动电压下（如4.5V），也能保持11mΩ的低阻值，保证了在不同驱动条件下的高效运行。
　　该器件具备优异的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得其在高频开关应用中表现出快速的响应能力和较小的驱动损耗。这对于DC-DC转换器、同步整流电路以及开关电源等需要频繁通断操作的场合尤为重要。同时，较低的输出电容（Coss）也有助于减少关断过程中的能量损失，进一步提升转换效率。
　　TZA1045TM的封装采用S-Mini小型化设计，尺寸紧凑，节省PCB布局空间，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及其他便携式电子产品中。尽管体积小，但其热性能经过优化，能够有效将热量从芯片传导至PCB，结合良好的散热设计可支持较高功率密度的工作环境。此外，器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够在感性负载切换时提供可靠的续流路径，防止电压尖峰损坏其他元件。
　　在可靠性方面，TZA1045TM通过了严格的生产测试和质量控制流程，具备良好的抗静电（ESD）能力和长期稳定性。其最大结温可达150°C，可在较宽的温度范围内稳定工作，适应工业级和消费类电子产品的使用需求。同时，产品符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持环保生产工艺，并兼容无铅焊接技术，便于自动化贴装与回流焊处理。这些综合优势使其成为现代高效、小型化电源系统中值得信赖的关键组件。

TZA1045TM广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型用途包括便携式电子设备中的负载开关或电源路径管理模块，在这类应用中，它能够以极低的导通损耗实现电池与负载之间的快速接通与断开，延长设备续航时间。此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器的主开关或同步整流开关，凭借其低RDS(ON)和快速开关特性，显著提高电源转换效率并降低温升。
　　在电机驱动领域，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，TZA1045TM可作为低端或高端开关使用，提供足够的电流驱动能力和良好的热稳定性。由于其具备较高的脉冲电流承受能力（达28A），能够应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统可靠运行。
　　该MOSFET还可用于LED背光驱动电路、USB电源开关、热插拔控制器以及各类电池管理系统（BMS）中，作为功率控制开关来隔离故障电路或进行充放电管理。其小型封装特别适合空间受限的移动终端产品，例如智能手机、智能手表、无线耳机、便携式医疗设备等。
　　在工业控制和家用电器中，TZA1045TM可用于小型继电器替代方案、电磁阀驱动或传感器电源控制，实现固态开关带来的高寿命和低噪声优势。同时，其稳定的电气特性和宽温工作范围也使其适用于部分工业级环境下的电源模块设计。总之，凡是需要低导通电阻、高效率、小尺寸功率MOSFET的应用场景，TZA1045TM都是一个极具竞争力的选择。

TPSMB30A
　　ZXMP6A17FDT
　　FDS6680A