PMPB14XP 时间：2025/8/2 4:32:49 阅读：16

PMPB14XP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具备较低的导通电阻和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。PMPB14XP 采用紧凑的表面贴装封装（通常为 SOT-223），使其在空间受限的设计中也能高效运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.7A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：13nC
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

PMPB14XP 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（60V VDS）使其适用于多种中等功率级别的应用，包括电源转换器和负载管理电路。
　　此外，PMPB14XP 具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为13nC，有助于减少开关损耗并提高工作频率，从而支持设计更高效率的 DC-DC 转换器。其 SOT-223 封装形式不仅节省空间，还具有良好的热传导性能，确保器件在高负载条件下也能稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和过温保护能力，适合在高可靠性要求的应用中使用。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也为设计者提供了更大的驱动电压选择空间，提高了设计灵活性。

应用

PMPB14XP 主要应用于电源管理系统，如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电池充电电路以及负载开关控制等。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，非常适合用于中等功率级别的电源转换设备。
　　在工业控制领域，PMPB14XP 可用于电机驱动电路、继电器替代方案以及智能功率模块的设计。在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
　　此外，该 MOSFET 还广泛用于 LED 照明驱动、太阳能逆变器以及 UPS（不间断电源）系统中的功率开关部分，提供高效、稳定的性能支持。