类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：400V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.15Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

TV50C400JB-G 具备出色的电气性能和稳定性，适用于多种高功率应用场景。其主要特性包括高效的导通性能和较低的导通损耗，这得益于其低导通电阻（Rds(on)）的设计。该器件在高电压（最高400V）下仍能保持稳定运行，使其适用于需要高压操作的电源转换系统。
　　此外，TV50C400JB-G 采用了TO-252封装，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。该封装形式也便于焊接和安装，适用于自动化生产流程。
　　这款MOSFET的栅极阈值电压范围在2V至4V之间，确保了与常见的驱动电路（如微控制器或驱动IC）的兼容性。其最大漏极电流可达50A，适合处理较大的负载电流，因此被广泛用于电机控制、电源转换和大功率LED照明系统。
　　TV50C400JB-G 还具备良好的抗过载能力和热保护性能，能够在一定程度上承受瞬时过载而不损坏，提高了系统的整体稳定性和寿命。

TV50C400JB-G 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它被用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及负载开关控制电路。在电机控制领域，TV50C400JB-G 常用于驱动直流电机或步进电机，实现高效的电机速度和方向控制。
　　此外，该MOSFET还适用于LED照明驱动电路，尤其是在需要高亮度输出的大功率LED灯具中，作为开关元件实现恒流控制。在工业自动化设备中，TV50C400JB-G 可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块，实现对执行器（如继电器、电磁阀）的控制。
　　由于其具备良好的热稳定性和高耐压特性，TV50C400JB-G 也常用于消费类电子产品中的电源适配器、充电器以及智能家电的电源管理模块。

TK35A40DJ, IRF3710, FQA44N40, STP55NF40Z