时间：2025/7/12 1:03:39
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IPD33CN10N 是一款基于硅 carbide（SiC）技术的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于工业、汽车及消费类电子领域的各种电源转换电路。其封装形式通常为表面贴装型，便于自动化生产和散热管理。
这款 MOSFET 的核心优势在于其出色的耐压能力与高效的电流承载能力，能够显著减少能量损耗并提升系统的整体性能。此外，得益于 SiC 材料的优异特性，该芯片能够在更高的工作温度下稳定运行，进一步拓宽了其适用范围。
额定电压：650V
额定电流：10A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：25nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高电压耐受能力，最高可达 650V，确保在严苛条件下安全运行。
2. 极低的导通电阻（70mΩ），有助于降低导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，具备短反向恢复时间（40ns），适合高频应用场景。
4. 小巧的封装尺寸，易于集成到紧凑型设计中。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应多种环境条件。
6. 稳定性高，抗电磁干扰能力强，适用于复杂电磁环境。
IPD33CN10N 广泛应用于需要高效功率转换和高频开关操作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动器
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车充电桩
5. 工业自动化设备
6. LED 驱动电源
7. DC-DC 转换器
8. UPS 不间断电源系统
IPD33EN10N
CSD19536KTT
STP10NK65Z
FDP18N65A
