时间：2025/9/2 8:06:53
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H9CCNNN8GTMLAR-NUD 是由SK Hynix生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，提供高速数据传输和较低的功耗。H9CCNNN8GTMLAR-NUD 通常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对功耗和性能有严格要求的电子设备中。
容量：8Gb（1GB）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.1V（核心电压VDD），1.0V（I/O电压VDDQ）
数据传输速率：3200Mbps（每秒百万次传输）
数据总线宽度：16位
时钟频率：1600MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：具体尺寸因封装类型而异，通常为小型FBGA封装
封装引脚数：具体引脚数因封装形式而异
H9CCNNN8GTMLAR-NUD 是一款基于LPDDR4技术的高性能低功耗DRAM芯片，专为现代移动设备和嵌入式系统设计。该芯片的容量为8Gb（即1GB），适合需要高内存密度的应用场景。其核心电压为1.1V，而I/O电压为1.0V，相比前代LPDDR3产品，功耗显著降低，有助于延长设备的电池续航时间。此外，H9CCNNN8GTMLAR-NUD 支持高达3200Mbps的数据传输速率，并且采用1600MHz的时钟频率，使其能够满足高速数据处理的需求，如多任务处理、高清视频播放和复杂的游戏运行。
该芯片采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠运行，适合工业级和消费级应用。此外，H9CCNNN8GTMLAR-NUD 还支持多种低功耗模式，包括深度自刷新（DSR）和预充电功耗降低（PASR），以进一步优化功耗，延长设备的使用时间。
在封装方面，H9CCNNN8GTMLAR-NUD 通常采用小型FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，体积小巧，适合空间受限的便携式设备。这种封装方式不仅提高了封装密度，还增强了散热性能和电气连接的可靠性。
H9CCNNN8GTMLAR-NUD 广泛应用于各种对性能和功耗有较高要求的电子设备中。最常见的应用包括智能手机和平板电脑，用于提升设备的运行速度和多任务处理能力。此外，该芯片也常用于可穿戴设备（如智能手表和健身追踪器）中，以提供足够的内存支持同时保持低功耗。在嵌入式系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、智能电视和高端物联网（IoT）设备，H9CCNNN8GTMLAR-NUD 可以作为主内存使用，以支持复杂的软件运行和数据处理任务。
H9CCNNN8GTMLAR-NUD 的替代型号可能包括其他厂商的LPDDR4 DRAM芯片，如三星（Samsung）的K4UAY1648E和美光（Micron）的MT53D256M16A256A。这些替代型号在容量、速度和封装方面可能有所不同，但在功能上可以提供类似的性能和功耗特性。
