CR7M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率功率晶体管,专为射频 (RF) 放大器应用而设计。该器件采用常关型 (enhancement-mode) GaN HEMT 结构,具有出色的增益、效率和线性性能。其封装形式为气密封装,能够承受较高的工作温度,并具备卓越的可靠性和稳定性。
这种晶体管非常适合应用于基站、雷达系统、卫星通信以及测试设备等高频、高功率场景中,能够在宽频带范围内提供高效的信号放大。
型号:CST0650F-4R7M
类型:GaN 功率晶体管
工作频率范围:0.1 GHz 至 6 GHz
最大输出功率:40 W(典型值)
增益:12 dB(典型值)
效率:60%(典型值)
输入匹配阻抗:4.7 Ω
输出匹配阻抗:4.7 Ω
漏极电压:50 V
静态电流:3 A
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-40°C 至 +100°C
CST0650F-4R7M 拥有以下显著特性:
1. 高频率范围支持:适用于从低频到高达6GHz的工作环境,满足多种无线通信需求。
2. 高输出功率与效率:在保证较高输出功率的同时,维持了良好的能量转换效率,降低了功耗。
3. 优异的线性度:通过优化设计,有效减少失真并提升信号质量。
4. 增强模式操作:常关型设计确保了更高的安全性与易用性,避免意外导通问题。
5. 稳定性与可靠性:采用气密封装工艺,提升了器件对极端环境条件的适应能力。
CST0650F-4R7M 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基础设施:如蜂窝网络基站中的PA模块。
2. 军事及航空航天:雷达系统、电子对抗设备。
3. 卫星通信:上行链路放大器、地面站收发装置。
4. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域:用于各类射频能量传输或加热设备。
5. 测试与测量仪器:矢量信号发生器、功率计等高端实验室工具。
CST0640F-20W、 Cree CGH40010F、Qorvo TGF2927-SD