容量：82M x 16位
　　电压：3.3V或5V可选
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装类型：TSOP/SSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2.0V（最低）
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS

420VXW82M16X40 SRAM模块采用高性能CMOS技术，提供快速的数据访问速度和低功耗特性，适合用于需要高带宽存储的应用场景。其10ns的访问时间确保了在高频操作下的稳定性能，同时其宽电压范围设计使其能够兼容多种电源系统。该模块还具备优异的数据保持能力，即使在电源电压下降至2.0V时，仍能保持数据不丢失，非常适合用于需要可靠存储的嵌入式系统和工业设备。此外，该器件封装形式为TSOP/SSOP，具有良好的散热性能和空间节省特性，适合高密度PCB布局。
　　在设计上，420VXW82M16X40提供了灵活的接口控制信号，包括异步读写控制、片选信号等，使其能够方便地与多种处理器和控制器连接。其输入/输出引脚兼容TTL和CMOS电平标准，简化了与其他逻辑电路的集成。模块内部还集成了地址和数据缓冲器，确保信号传输的稳定性和完整性。此外，该SRAM模块支持多种操作模式，包括深度掉电模式和待机模式，进一步降低了系统功耗。

420VXW82M16X40适用于各种需要高速、低功耗存储的系统，例如工业控制设备、通信基础设施（如交换机和路由器）、网络设备、测试与测量仪器、军事和航空航天电子系统、医疗成像设备以及高性能嵌入式处理器系统。此外，它也可用于图形处理器、视频采集和显示系统、数据缓存、网络缓冲区等需要快速访问和高可靠性的场合。

IDT71V416S, ISSI IS61LV25616AL, Cypress CY7C1513AV18