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PSMN014-40YS,115 发布时间 时间:2025/9/14 17:22:44 查看 阅读:3

PSMN014-40YS,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率、高频率的电源应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,使其在低导通电阻和高开关性能之间取得了良好的平衡。PSMN014-40YS,115 采用LFPAK56(也称为Power-SO8)封装,具有优异的热性能和高功率密度,适合用于紧凑型电源设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):140A(在Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ(最大值,典型值可能更低)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  功率耗散(PD):125W

特性

PSMN014-40YS,115 的关键特性之一是其非常低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,该器件采用LFPAK56封装,具有优异的热管理性能,使得在高电流条件下也能保持较低的结温。该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
  此外,PSMN014-40YS,115 还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。其高栅极电荷(Qg)水平需要适当的驱动电路以确保快速开关并减少开关损耗。
  LFPAK56封装的另一个优点是其无引脚设计,可以提供更好的PCB布局灵活性和更高的机械稳定性。该封装还具有较低的寄生电感,有助于减少高频下的开关噪声和损耗。

应用

PSMN014-40YS,115 主要应用于高功率密度和高效率的电源系统中,例如:
  - DC-DC转换器:适用于服务器电源、通信设备和工业电源的高效降压或升压电路。
  - 电池管理系统(BMS):用于电动车辆和储能系统的高电流开关。
  - 电机驱动器:如无刷直流电机(BLDC)驱动器和伺服电机控制器。
  - 负载开关:用于高电流负载的快速开关控制。
  - 电源管理模块:在电源管理系统中作为高效功率开关使用。
  由于其优异的热性能和高电流能力,该MOSFET也适用于需要紧凑设计和高可靠性的汽车电子应用,如车载充电器(OBC)和48V轻混动力系统。

替代型号

PSMN014-40YLC,115; PSMN025-40YLC,115; PSMN031-40YLC,115

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PSMN014-40YS,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C46A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds702pF @ 20V
  • 功率 - 最大56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5578-6