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TT0535TJ 发布时间 时间:2025/7/8 19:20:17 查看 阅读:12

TT0535TJ是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够在高频条件下保持高效能表现。
  该型号的MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于广泛的工业和消费电子领域,其出色的热特性和可靠性使其成为设计工程师的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容:1940pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

TT0535TJ的核心优势在于其超低的导通电阻和高电流承载能力,这使得它在功率转换应用中表现出色。此外,其快速开关速度和低栅极电荷可以有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。
  该器件还具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能输出。同时,TT0535TJ采用了坚固耐用的封装形式,能够承受较大的机械应力,从而延长使用寿命。
  其他关键特性包括:
  - 高击穿电压确保在复杂电路中的安全运行
  - 内置ESD保护机制以提升抗静电能力
  - 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中

应用

TT0535TJ广泛应用于需要高效功率管理的场合,具体包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机控制与驱动
  - 电池管理系统(BMS)
  - 汽车电子中的负载切换
  - 工业自动化设备中的功率控制
  由于其大电流能力和快速响应速度,该芯片特别适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP55NF06L

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