T820107504DH 时间：2025/8/7 4:33:37 阅读：33

T820107504DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频开关应用。这款器件设计用于在高电压和高电流条件下提供出色的性能和效率。T820107504DH 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备等应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，从而减少了能量损耗并提高了整体系统效率。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：500V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　耗散功率（Pd）：150W
　　技术：N沟道增强型MOSFET
　　配置：单管
　　引脚数：3
　　安装类型：通孔（Through Hole）

特性

T820107504DH 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏极-源极击穿电压高达500V，适合用于高电压环境下的开关应用。其高栅极-源极耐压（±30V）增强了器件的可靠性和稳定性，减少了栅极驱动电路的设计难度。T820107504DH 采用了 TO-220 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适用于中高功率应用。此外，该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电路，从而减少了外围元件的尺寸和成本。器件内部还集成了保护机制，如过热保护和短路保护，以提高系统的可靠性。最后，T820107504DH 具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业和汽车电子等严苛环境中的应用。

应用

T820107504DH 被广泛应用于多种电力电子系统中。它常用于电源管理模块，如AC-DC和DC-DC转换器，用于提高能量转换效率。在电机控制应用中，T820107504DH 可以作为H桥电路的一部分，用于控制直流电机或步进电机的方向和速度。该器件也适用于电池充电器和储能系统，特别是在需要高效率和高稳定性的场合。此外，T820107504DH 还可用于工业自动化设备中的功率开关，如继电器替代、电热元件控制和LED照明驱动电路。由于其高可靠性和耐压能力，它也适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。