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HY29F040T-12 发布时间 时间:2025/9/1 18:39:20 查看 阅读:11

HY29F040T-12 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款8位Flash存储器芯片。这款芯片属于并行Flash存储器类别,通常用于需要程序存储和数据存储的应用场景。其容量为512KB(4Mbit),采用8位数据总线接口,适用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。HY29F040T-12 的封装形式为32引脚TSOP(薄型小外形封装),适合高密度和便携式应用。

参数

容量:4Mbit (512KB)
  位宽:8位
  工作电压:2.7V - 3.6V
  访问时间:12ns
  封装类型:32引脚TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  编程电压:内部产生,无需外部高压

特性

HY29F040T-12 是一款高性能、低功耗的Flash存储器芯片,具备出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括:
  1. **快速访问时间**:12ns的访问时间使得它适用于高速系统总线,提升整体系统性能。
  2. **低功耗设计**:在待机模式下功耗极低,适合对功耗敏感的应用场景。
  3. **单电源供电**:工作电压范围为2.7V至3.6V,支持单电源供电,简化了电源设计,降低了系统复杂性。
  4. **内部编程电压生成**:无需外部高压编程,芯片内部自动产生编程电压,简化了外部电路设计。
  5. **块擦除和编程功能**:支持块擦除和字节编程功能,提供灵活的存储管理方式。
  6. **耐用性强**:支持10万次擦写周期,数据保留时间长达10年,适用于需要频繁更新数据的应用。
  7. **广泛的工作温度范围**:工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境下的可靠性。

应用

HY29F040T-12 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。例如,它可用于存储固件代码、启动程序、配置数据或用户数据。其高可靠性和灵活性使其成为需要非易失性存储解决方案的理想选择。

替代型号

AM29F040B-120EE, MX29F040A-12, TC58FV400BFT

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