时间：2025/8/6 12:06:32
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IXFH15N60是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量的特点，适用于如电源转换器、逆变器、电机控制以及工业自动化系统等场合。IXFH15N60采用TO-247封装形式，便于散热和安装，适合于需要高效能和高可靠性的应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：78nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1500pF（典型值）
IXFH15N60 MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压操作环境，如AC/DC转换器、DC/DC转换器和电源管理模块。
其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这对于高负载应用尤为重要，能够有效减少发热并提升整体性能。
此外，IXFH15N60具有较高的连续漏极电流能力（15A），支持大功率负载的驱动，适用于电机控制、照明系统和工业设备中的开关电路。
该器件的栅极电荷（Qg）为78nC，属于中等水平，适合用于中高频开关应用，有助于实现较高的开关速度并降低开关损耗。
在封装方面，IXFH15N60采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热能力，确保在高功率工作状态下仍能保持稳定运行。
最后，IXFH15N60的工作温度范围宽，为-55°C至+150°C，使其能够在恶劣的工业环境中可靠工作，满足高可靠性要求。
IXFH15N60广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合需要高效能、高可靠性和高耐压能力的电路设计。
主要应用领域包括电源供应器、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及UPS（不间断电源）系统。
在开关电源中，IXFH15N60可用于构建高效能的AC/DC和DC/DC转换器，其低导通电阻和高电流容量可显著降低损耗，提高能效。
在电机控制和驱动系统中，该MOSFET可用于H桥电路或PWM调速控制，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现精确控制和节能运行。
此外，IXFH15N60也可用于LED照明系统的电源调节模块，支持高亮度LED的稳定驱动。
在工业自动化和控制系统中，该器件可作为高边或低边开关，用于控制各种执行器、继电器和传感器的供电。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，IXFH15N60也常用于车载电子系统、太阳能逆变器和能源管理系统等对稳定性和耐久性要求较高的应用场合。
IXFH15N60P、IXFH15N60Q、IXFH15N60B、STP15N60DM2、FQA15N60C、IRFP460LC
