时间：2025/8/23 18:06:53
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SKDT115/12 是由富士电机（Fuji Electric）生产的一款功率半导体模块，属于绝缘双极型晶体管（IGBT）模块系列。该模块专为工业应用中的高功率需求设计，具有较高的可靠性和效率。SKDT115/12 通常用于变频器、电机驱动、可再生能源系统以及电力转换设备中。
额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：115A
导通压降（VCE_sat @ IC=115A, VGE=15V）：约2.1V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
短路耐受能力：支持
最大工作频率：可达30kHz
SKDT115/12 是一款性能优异的 IGBT 模块，具备多种关键特性。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于中高功率的工业应用，如电机驱动和逆变器系统。其次，模块的额定集电极电流为 115A，能够支持较大负载，适用于多种电力电子变换器拓扑结构。
该模块采用了先进的 IGBT 技术，具有较低的导通压降（VCE_sat），在额定电流下约为 2.1V，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，模块具备良好的开关特性，能够在高达 30kHz 的频率下工作，适用于需要快速开关的高性能应用。
SKDT115/12 还具有优异的热性能，模块内部采用了高效的热传导设计，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适应性强，能够在各种恶劣环境中稳定工作。
另外，该模块具备一定的短路耐受能力，能够在短时间内承受过载电流，从而提高系统的可靠性和安全性。模块的封装采用双列直插式（DIP）结构，便于安装和维护，同时具备良好的机械稳定性和电气绝缘性能。
SKDT115/12 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、风力发电变流器以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和大电流能力，该模块也非常适合用于电机控制和电能转换系统中，提供高效的能量传输和控制能力。此外，在电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）系统以及焊接设备中，SKDT115/12 也表现出良好的性能和稳定性。
SKM100GB12T4, FF150R12KS4P, IKW75N120H3
