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SKDT115/12 发布时间 时间:2025/8/23 18:06:53 查看 阅读:14

SKDT115/12 是由富士电机(Fuji Electric)生产的一款功率半导体模块,属于绝缘双极型晶体管(IGBT)模块系列。该模块专为工业应用中的高功率需求设计,具有较高的可靠性和效率。SKDT115/12 通常用于变频器、电机驱动、可再生能源系统以及电力转换设备中。

参数

额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):115A
  导通压降(VCE_sat @ IC=115A, VGE=15V):约2.1V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  短路耐受能力:支持
  最大工作频率:可达30kHz

特性

SKDT115/12 是一款性能优异的 IGBT 模块,具备多种关键特性。首先,其高耐压能力(1200V)使其适用于中高功率的工业应用,如电机驱动和逆变器系统。其次,模块的额定集电极电流为 115A,能够支持较大负载,适用于多种电力电子变换器拓扑结构。
  该模块采用了先进的 IGBT 技术,具有较低的导通压降(VCE_sat),在额定电流下约为 2.1V,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,模块具备良好的开关特性,能够在高达 30kHz 的频率下工作,适用于需要快速开关的高性能应用。
  SKDT115/12 还具有优异的热性能,模块内部采用了高效的热传导设计,确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,适应性强,能够在各种恶劣环境中稳定工作。
  另外,该模块具备一定的短路耐受能力,能够在短时间内承受过载电流,从而提高系统的可靠性和安全性。模块的封装采用双列直插式(DIP)结构,便于安装和维护,同时具备良好的机械稳定性和电气绝缘性能。

应用

SKDT115/12 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、风力发电变流器以及太阳能逆变器等。由于其高耐压和大电流能力,该模块也非常适合用于电机控制和电能转换系统中,提供高效的能量传输和控制能力。此外,在电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)系统以及焊接设备中,SKDT115/12 也表现出良好的性能和稳定性。

替代型号

SKM100GB12T4, FF150R12KS4P, IKW75N120H3

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