时间：2025/12/27 18:06:55
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76PSB07是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机控制和DC-DC转换等高效率开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅垂直DMOS（Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor）技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点。76PSB07属于N沟道增强型MOSFET，适用于中等功率级别的应用场合，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。其封装形式通常为PowerSSO-36或类似的高功率密度封装，具备优良的散热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。该器件的设计目标是提高系统效率并降低功耗，尤其在电池供电设备、工业控制系统以及汽车电子等领域表现优异。此外，76PSB07还具备良好的抗雪崩能力和电磁兼容性，能够在复杂电磁环境中可靠运行。由于其高度集成化和优化的电气特性，76PSB07成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。
型号：76PSB07
制造商：STMicroelectronics
器件类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：75V
最大连续漏极电流（ID）：120A
最大脉冲漏极电流（IDM）：360A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻RDS(on)（典型值）：3.8mΩ @ VGS = 10V, ID = 60A
导通电阻RDS(on)（最大值）：4.5mΩ @ VGS = 10V, TJ = 25°C
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：约9000pF @ VDS = 25V
输出电容（Coss）：约1500pF @ VDS = 25V
反向恢复时间（trr）：约45ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSSO-36
76PSB07采用ST专有的STripFET? F7系列工艺技术，显著降低了导通损耗并提升了动态性能。该工艺通过优化沟道密度与漂移区掺杂分布，在保证高击穿电压的同时实现了极低的RDS(on)，从而大幅减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。器件内部结构经过精心设计，有效抑制了寄生双极晶体管的开启风险，增强了短路耐受能力。其栅极结构具备较低的栅电荷（Qg），有助于减少驱动损耗，并支持高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC变换器和同步整流拓扑。
该MOSFET具有出色的热性能，得益于PowerSSO-36封装中的裸焊盘设计，能够直接连接至PCB上的散热区域，实现高效的热量传导与散发。这种封装不仅提升了功率密度，还在有限空间内维持了较低的工作温度，延长了器件寿命。此外，76PSB07具备较强的抗雪崩能量能力（EAS），可在瞬态过压事件中保持可靠性，避免因电感负载突变导致的损坏。
在电磁兼容性方面，76PSB07表现出较低的开关噪声和振铃现象，这得益于其内部布局对寄生电感的有效控制。同时，其阈值电压具有良好的温度稳定性，确保在宽温范围内仍能可靠开启与关断。该器件还符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。整体而言，76PSB07是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于大电流、高效率的应用场景。
76PSB07广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、车身控制模块以及DC-DC升压/降压转换器中，作为主开关或同步整流器件，提供高效且稳定的电力转换。在工业控制方面，该器件可用于电机驱动器、PLC输出模块、伺服系统和UPS不间断电源等设备中，承担大电流切换任务，确保系统响应迅速且运行平稳。
在通信电源和服务器电源系统中，76PSB07被广泛用于多相VRM（电压调节模块）设计，支持微处理器供电需求，满足低电压、大电流的供电特点。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低整体功耗，提升数据中心能源效率。此外，在太阳能逆变器、储能系统和便携式大功率充电器中，该器件也发挥着关键作用，特别是在需要频繁启停和高动态负载响应的场合。
由于其优异的热管理和抗干扰能力，76PSB07还可用于医疗设备中的电源模块，如便携式监护仪和成像系统的供电单元。在消费类高端产品中，例如游戏主机电源、高端音响功放和无人机动力系统中也有应用潜力。总之，凡是需要高效、可靠、大电流开关功能的场合，76PSB07都能提供卓越的技术支持和系统级优势。
STW76PSB07TF
