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TSP8N60M 发布时间 时间:2025/8/20 17:53:42 查看 阅读:36

TSP8N60M是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术,具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大漏极电流(ID):8A
  导通电阻(RDS(on)):典型值1.2Ω
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
  最大栅极电压(VGS):±30V
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-220、TO-263等

特性

TSP8N60M具有优异的电气性能和热稳定性,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
  TSP8N60M的栅极驱动设计灵活,兼容标准逻辑电平驱动,使得其在多种控制电路中都能方便使用。器件的封装形式多样,便于根据应用需求选择合适的封装类型,以优化散热和空间利用。
  在制造工艺方面,TSP8N60M采用了高密度芯片结构和先进的封装技术,确保了器件在极端环境下的稳定性和耐用性。这使得它在高温、高湿、振动等恶劣工作环境中依然能够保持良好的性能。

应用

TSP8N60M广泛应用于各类电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、负载开关控制以及工业自动化系统等。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,TSP8N60M也能发挥重要作用。

替代型号

FQP8N60C, IRF8N60A, STP8NK60Z

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