类型：肖特基二极管
　　最大正向电流（IF）：1A
　　峰值反向电压（VR）：100V
　　正向电压（VF）：最大0.95V（IF=1A）
　　反向漏电流（IR）：最大5uA（VR=100V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123

LMBD6100LT1G 的核心特性之一是其低正向压降，这有助于降低功耗并提高能效，尤其适用于高频率开关应用。该器件的快速反向恢复时间（trr）小于30ns，能够有效减少开关损耗并提升系统响应速度。
　　另一个重要特性是其高反向击穿电压（100V），使得该二极管能够在较高的电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换和整流应用。此外，LMBD6100LT1G 的最大正向电流为1A，能够支持中等功率的电路需求。
　　由于采用SOD-123小型封装，LMBD6100LT1G 在PCB布局上节省空间，适合高密度电路设计。同时，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定性能，工作温度范围可达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在制造工艺上，LMBD6100LT1G 采用成熟稳定的硅半导体技术和肖特基势垒结构，确保了器件在高频工作下的稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造要求。

LMBD6100LT1G 肖特基二极管广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件可用于DC-DC转换器、同步整流器和电池充电电路，利用其低正向压降和快速恢复时间特性提升转换效率。
　　在汽车电子系统中，LMBD6100LT1G 可用于电源保护电路、车载充电器和LED驱动电路，其宽工作温度范围和高可靠性确保在严苛环境下稳定运行。
　　此外，该二极管还广泛用于工业自动化设备、通信电源、适配器以及消费类电子产品中的整流和保护电路。在高频逆变器和开关电源（SMPS）中，LMBD6100LT1G 也能有效降低开关损耗，提高整体能效。
　　由于其小型封装和优异性能，LMBD6100LT1G 也适用于便携式设备、LED照明驱动和能量回收系统等应用，是现代高效能电子设计中的关键元件。

MBD6100LT1G, 1N5819, SS1100, SB160