时间：2025/5/22 14:31:35
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CRSS028N10N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源管理应用中。其出色的性能使其成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：16nC
开关频率：最高可达 5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
CRSS028N10N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可以显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，能够支持高频应用，从而减小磁性元件的尺寸和整体系统体积。
3. 内置反向二极管，提供更好的反向恢复性能。
4. 支持高瞬态电压和大电流脉冲的能力，确保了器件在极端条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
CRSS028N10N 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压拓扑结构。
3. 电动工具、家用电器等需要高效功率转换的场景。
4. 工业控制中的电机驱动电路。
5. 电池保护和管理系统（BMS）。
IRFZ44N, FDP5800
