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BD139G 发布时间 时间:2022/12/21 15:06:04 查看 阅读:1011

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA, 500mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 150mA, 2V

    功率 - 最大:1.25W

    频率 - 转换:-

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-225-3

    包装:散装

    供应商设备封装:TO225AA

    其它名称:BD139GOS


资料

厂商
ON Semiconductor

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BD139G参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装TO225AA
  • 包装散装
  • 其它名称BD139GOS