时间：2025/12/26 21:21:57
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IRFK3F250是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高电压、大电流N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装形式。该器件专为高效率开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等高压应用场景设计。其额定漏源电压（VDS）高达500V，具备出色的导通电阻（RDS(on)）特性，在高温环境下仍能保持良好的电气性能，适合在工业级温度范围内稳定运行。IRFK3F250采用了先进的平面栅极技术，优化了电荷平衡与载流子迁移率，从而提升了器件的整体开关速度和热稳定性。该MOSFET具有低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提高系统效率。此外，器件内置了快速恢复体二极管，能够在感性负载切换过程中提供可靠的反向电流路径，降低电压尖峰风险。IRFK3F250符合RoHS环保标准，广泛应用于通信电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业电机驱动系统中。由于其高耐压能力和稳健的封装结构，该器件在面对瞬态过压和热应力时表现出较强的鲁棒性，适用于要求高可靠性的电力电子系统。
型号：IRFK3F250
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：7.0A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：28A
最大功耗（PD）：125W（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：max 2.5Ω @ VGS=10V, ID=3.5A
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
栅极电荷（Qg）：typ 45nC @ VDS=400V, ID=7A
输入电容（Ciss）：typ 1050pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：typ 160pF @ VDS=25V
反向恢复时间（trr）：typ 150ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220AB
IRFK3F250具备优异的电气特性和热管理能力，其核心优势在于高电压阻断能力与低导通损耗的结合。该器件的500V漏源击穿电压使其适用于多种高压开关电路，尤其在离线式开关电源设计中表现突出。在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为2.5Ω，这一低阻值显著降低了导通期间的功率损耗，提高了整体能效。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）典型值为45nC，较低的Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而减少了开关过程中的驱动损耗，并允许更高的工作频率。这对于高频DC-DC变换器或谐振拓扑尤为重要，有助于缩小磁性元件体积并提升功率密度。
输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）分别为1050pF和160pF，适中的电容参数在保证足够dv/dt耐受能力的同时，避免了过高的容性损耗。器件的开关速度较快，配合快速恢复体二极管（trr约150ns），可在桥式电路或H桥电机驱动中有效抑制反向恢复引起的电压振荡和EMI问题。
IRFK3F250采用TO-220AB封装，具有良好的热传导性能，可通过散热片将热量迅速传递至外部环境，确保长时间高负载运行下的可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足严苛工业环境的应用需求。此外，器件通过了多项国际安全认证，具备抗雪崩能力，增强了在异常工况下的生存能力。
IRFK3F250广泛应用于各类需要高压、高效开关操作的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在反激式、正激式和半桥拓扑结构中作为主开关器件使用。其500V耐压等级非常适合用于通用AC-DC适配器、服务器电源及电信整流模块的设计。
在可再生能源领域，该MOSFET可用于太阳能微型逆变器或小型光伏逆变器的直流侧开关单元，实现高效的能量转换与最大功率点跟踪（MPPT）控制。同时，它也适用于不间断电源（UPS）系统中的DC-AC逆变环节，提供稳定的高频切换功能。
工业控制方面，IRFK3F250可用于电机驱动电路，特别是小功率交流伺服系统或步进电机控制器中，承担PWM调速任务。其快速响应特性和低导通电阻有助于提升动态响应精度并减少发热。
此外，该器件还适用于高电压LED驱动电源、电子镇流器、感应加热设备以及高压电荷泵电路等场景。凭借其高可靠性与成熟的封装工艺，IRFK3F250在多种恶劣工作条件下均能保持长期稳定运行，是中等功率段高压开关应用的理想选择之一。
IRFBC30
STP5NK50ZFP
FQP5N50
KIA5N50
