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C1210C470M1HAC7800 发布时间 时间:2025/5/9 13:54:18 查看 阅读:9

C1210C470M1HAC7800 是一款由 Kemet 生产的多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C 系列,采用 X7R 介质材料。它具有高可靠性和稳定性,适用于广泛的电子应用领域。该型号符合 RoHS 标准,并支持表面贴装技术 (SMD/SMT)。其设计旨在提供稳定的电容值和低等效串联电阻 (ESR),在各种工作条件下表现出色。
  X7R 介质是温度补偿型材料,能够在宽温范围内保持良好的电容稳定性,同时具备较高的体积效率,适合需要紧凑设计的应用场景。

参数

电容值:4.7μF
  额定电压:50V
  公差:±20%
  尺寸:1210英寸(3.2mm x 2.5mm)
  介质材料:X7R
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:片式
  安装方式:表面贴装

特性

C1210C470M1HAC7800 的主要特点是其出色的温度稳定性和高可靠性。X7R 介质确保了电容器在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内电容值变化不超过 ±15%,非常适合需要精确电容控制的应用。此外,这款电容器还具有较低的 ESR 和 ESL(等效串联电感),从而减少了高频信号下的能量损耗。
  该型号的设计使其能够承受多次焊接热冲击而不影响性能,同时具备较强的抗机械振动能力。由于采用了多层陶瓷结构,C1210C470M1HAC7800 在单位体积内提供了更高的电容密度,满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
  此外,Kemet 对此系列产品的质量控制非常严格,确保每一批次的产品都具有高度一致性,便于客户进行大批量生产。

应用

C1210C470M1HAC7800 广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信系统以及汽车电子等领域。具体应用包括:
  1. 电源滤波:用于平滑直流电源输出,减少纹波和噪声干扰。
  2. 耦合与去耦:在放大器和数字电路中,用作信号耦合或电源去耦以提高信号完整性。
  3. 高频旁路:为高频电路提供稳定的接地路径,降低电磁干扰 (EMI)。
  4. 能量存储:在瞬态响应要求较高的场景下,作为短时间的能量存储元件。
  5. 振荡电路:在时钟生成和其他振荡器设计中提供稳定的参考电容。

替代型号

C1210C470J1HAC7800
  C1210C470K1HAC7800
  C1210C470Z1HAC7800

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C1210C470M1HAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格8,000 : ¥0.29024卷带(TR)
  • 系列SMD Comm X8R HT150C
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容47 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"(0.88mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-