容量：1Mbit（128K x 8）
　　组织方式：128K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　封装尺寸：54-TSOP
　　最大频率：83MHz
　　读取电流（典型值）：120mA
　　待机电流（典型值）：10mA

CXK5T81000ATN-12LLX6 是一款高性能异步SRAM，具备高速访问时间（12ns），可满足对实时响应要求严格的应用需求。该器件采用低功耗CMOS技术，在保证高速性能的同时实现节能运行，适合电池供电或对功耗敏感的系统。
　　其电源电压范围为2.3V至3.6V，支持广泛的电源设计兼容性，并能在不同电压条件下稳定运行。该SRAM芯片具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于工业环境下的高可靠性要求。
　　封装形式为54-TSOP，体积小且便于PCB布局，适合高密度电路设计。该型号支持异步读写操作，接口简单，兼容多种处理器和控制器的SRAM接口标准。此外，其低待机电流（典型值10mA）设计有助于延长设备的续航时间，提高能效。
　　内部采用CMOS结构，具备高噪声抑制能力，提高了数据读写的稳定性。适用于各种高性能缓存、临时数据存储、图像处理缓冲区等应用场景。

CXK5T81000ATN-12LLX6 主要用于需要高速缓存和低功耗设计的工业控制系统、网络设备（如路由器、交换机）、通信模块、测试仪器、嵌入式系统以及消费类电子产品中的临时数据存储。其高速访问时间和低功耗特性也使其适用于图形显示缓存、实时数据缓冲和处理器外置内存扩展等场景。

CYK5T81000ATN-12LLX6, CYK5T81000ATN-12LLXI, CYK5T81000AVT-12LLXI, CYK5T81000ASV-12LLXI