时间：2025/5/20 19:00:47
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IPB47N10S-33 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于 Infineon 的产品系列。该器件采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高效能应用中。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，有助于提高散热效率并简化 PCB 布局。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（典型值）：33mΩ
栅极电荷（典型值）：3nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IPB47N10S-33 的主要特点是其低导通电阻，这有助于降低传导损耗并提升整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷较小，从而减少了驱动功耗，适合高频开关应用场景。
其封装 TO-252 提供了良好的机械稳定性和散热能力，同时占用较少的 PCB 空间。器件还具有较强的雪崩能量承受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
IPB47N10S-33 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 小型电机驱动电路。
5. LED 驱动器和照明控制。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IPP047N10N3G, IRF540N, FDP18N10
