型号：TSP5N65M
　　制造商：STMicroelectronics
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：20 A
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V）：典型值1.1 Ω，最大值1.3 Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值27 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值600 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值38 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220 / TO-220FP

TSP5N65M采用了ST先进的MDmesh? M系列超级结（Super Junction）技术，这项技术通过优化漂移区的电荷平衡，实现了在650V高耐压条件下仍具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而大幅降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。这种结构使得器件在保持高击穿电压的同时，显著减小了晶圆面积，提升了功率密度。该MOSFET的栅极电荷（Qg）非常低，典型值仅为27nC，这直接减少了驱动电路所需的能量，同时加快了开关速度，有效降低了开关过程中的交叠损耗，特别适用于高频开关电源应用。此外，其输出电容（Coss）也经过优化，进一步减少开关期间的能量损耗，有助于实现更高的转换效率。
　　该器件具备优异的热稳定性与长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，并具备良好的热阻特性，配合标准TO-220封装可实现有效的散热管理。TSP5N65M还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感负载突变的情况下承受一定的能量冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，该MOSFET的栅极氧化层经过严格工艺控制，确保了长期使用的可靠性和耐久性，避免因栅极击穿导致的早期失效。
　　在电磁兼容性（EMC）方面，TSP5N65M表现出良好的噪声抑制能力，其内部结构设计有助于减少高频开关过程中产生的电磁干扰，有利于满足各类国际安全与EMI标准。该器件还具备较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），当与体二极管相关的工作场景中（如硬开关拓扑），可以减少对续流二极管的应力，降低EMI风险并提升系统效率。综合来看，TSP5N65M凭借其高效率、高可靠性与良好的动态特性，成为现代绿色能源电源设计中的关键元件之一。

TSP5N65M广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高能效和紧凑设计的场合。它常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及LLC谐振转换器等拓扑结构中，作为主开关器件使用，适用于20W至200W范围内的AC-DC电源适配器、充电器和开放式电源模块。在LED照明驱动电源中，该器件能够高效地将交流市电转换为恒流直流输出，满足商业和工业照明对高效率和长寿命的要求。此外，TSP5N65M也常见于待机电源（Standby Power Supply）设计中，为家电、办公设备和工业控制系统提供低功耗、高可靠的辅助供电。
　　在光伏逆变器、UPS不间断电源和小型电机驱动系统中，TSP5N65M可用于DC-DC升压或隔离转换级，实现高效的能量转换。由于其具备良好的高温性能和抗扰能力，该器件也适用于环境条件较为严苛的工业应用场景。在消费类电子产品如电视、音响和游戏机的内置电源中，TSP5N65M帮助设计师满足日益严格的能源之星（Energy Star）和欧盟CoC等能效标准。同时，其标准化的TO-220封装便于手工焊接和自动化生产，适合批量制造。总体而言，TSP5N65M凭借其高性能指标和广泛的适用性，已成为中小功率电源设计中的主流选择之一。

STP5N65M
　　STP6N65M
　　FQP5N65
　　KSP5N65