600L4R3BT200T 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
这款功率MOSFET具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。
型号:600L4R3BT200T
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):4.3A
导通电阻(Rds(on)):0.43Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
输入电容(Ciss):1750pF(典型值)
输出电容(Coss):80pF(典型值)
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
600L4R3BT200T 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达600V的工作电压,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.43Ω),可显著降低导通损耗。
3. 快速开关速度,得益于其较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且安全。
6. 封装形式紧凑,便于集成到各类电子设备中。
这些特性使其成为需要高效率、高可靠性的电力电子应用的理想选择。
600L4R3BT200T 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
2. 电机驱动,包括家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
3. DC-DC转换器,用于汽车4. 能量回收和逆变器系统,如太阳能逆变器。
5. 各种高压切换电路和负载保护电路。
该器件凭借其卓越的性能,能够满足不同行业对高效能功率管理的需求。
600L4R3BT200G, 600L4R3BT200H