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600L4R3BT200T 发布时间 时间:2025/7/4 0:55:44 查看 阅读:7

600L4R3BT200T 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
  这款功率MOSFET具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。

参数

型号:600L4R3BT200T
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):4.3A
  导通电阻(Rds(on)):0.43Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1750pF(典型值)
  输出电容(Coss):80pF(典型值)
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

600L4R3BT200T 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,支持高达600V的工作电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.43Ω),可显著降低导通损耗。
  3. 快速开关速度,得益于其较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
  4. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 封装形式紧凑,便于集成到各类电子设备中。
  这些特性使其成为需要高效率、高可靠性的电力电子应用的理想选择。

应用

600L4R3BT200T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
  2. 电机驱动,包括家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
  3. DC-DC转换器,用于汽车4. 能量回收和逆变器系统,如太阳能逆变器。
  5. 各种高压切换电路和负载保护电路。
  该器件凭借其卓越的性能,能够满足不同行业对高效能功率管理的需求。

替代型号

600L4R3BT200G, 600L4R3BT200H

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600L4R3BT200T参数

  • 现有数量78,231现货
  • 价格1 : ¥11.69000剪切带(CT)4,000 : ¥4.14077卷带(TR)
  • 系列ATC 600L
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容4.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用射频,微波,高频,旁通,去耦
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-