时间：2025/6/16 13:28:21
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NCEP12T12 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效功率转换芯片，专为高频率和高效率的应用场景设计。该芯片集成了增强型 GaN FET 和驱动器，能够显著降低开关损耗并提升系统整体性能。其封装形式紧凑，适合用于需要高功率密度的设计。
型号：NCEP12T12
类型：GaN 功率转换芯片
最大额定电压：650V
最大额定电流：12A
Rds(on)：120mΩ
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
NCEP12T12 芯片采用先进的氮化镓技术，具备低 Rds(on) 特性以减少导通损耗，同时优化了栅极电荷和输出电容以实现更低的开关损耗。
它支持高频开关操作，非常适合要求快速瞬态响应的场景。内置的保护功能包括过流保护、过温保护等，确保在复杂工况下的稳定运行。
此外，该芯片具有较低的寄生电感和热阻，从而进一步提升了散热性能和可靠性。
NCEP12T12 广泛应用于各种高效率功率转换场景，如服务器电源、通信电源、电动汽车充电设备以及光伏逆变器等。由于其高功率密度和高频特性，也适用于小型化的适配器和快充解决方案。
它还可用于无线充电系统、电机驱动以及其他工业自动化相关领域。
NCEP12T15
NCEP15T12
