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BUL903ED 发布时间 时间:2022/11/30 13:45:40 查看 阅读:830

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 150mA, 1A

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 150mA, 1A

    电流 - 集电极截止(最大):1mA

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 500mA, 3V

    功率 - 最大:70W

    频率 - 转换:-

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-6683-5BUL903ED-ND


资料

厂商
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  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 150mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大70W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-6683-5BUL903ED-ND