类型：MOSFET输出固态继电器
　　输入正向电压（VF）：1.25V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（连续）
　　输出耐压（VDS）：60V
　　连续负载电流（IO）：2A
　　峰值负载电流（IOP）：4A
　　导通电阻（RON）：70mΩ（最大值）
　　动作时间（ton）：0.2ms（典型值）
　　复位时间（toff）：0.2ms（典型值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　封装类型：TSON-5

G3VM-61D1的核心特性之一是其极低的导通电阻（RON），最大仅为70mΩ，这显著降低了在大电流通过时的功耗和温升，提高了系统的整体效率和稳定性。低RON还意味着在信号传输过程中引入的电压降极小，从而保证了信号完整性，特别适合用于精密模拟信号切换应用，例如自动测试设备（ATE）中的多路复用器或传感器信号路由。此外，由于MOSFET的导通特性与温度呈负相关，G3VM-61D1在高温环境下仍能保持相对稳定的性能表现。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力，动作时间和释放时间均为0.2ms（典型值），使得该器件能够胜任高速切换任务，例如在数据采集系统中实现毫秒级通道切换。这种快速响应不仅提升了系统吞吐量，还能有效减少开关过程中的瞬态干扰。同时，由于没有机械触点，不存在弹跳现象，避免了传统电磁继电器常见的接触抖动问题，进一步增强了信号的稳定性和可重复性。
　　G3VM-61D1采用TSON-5超小型无引线封装，尺寸紧凑，有助于节省PCB空间，满足现代电子产品向小型化、轻量化发展的趋势。该封装还具备良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速传递至PCB，提升散热效率。此外，器件的输入与输出之间具有高达5000Vrms的隔离电压，确保在高压或噪声环境中仍能安全可靠地工作，符合工业级安全标准。
　　该器件支持双向导通，输出端的背对背MOSFET结构允许电流双向流动，因此可用于交流信号或双极性直流信号的控制。这一特性使其在音频信号切换、桥式电路控制或H桥驱动等应用中表现出色。同时，输入侧仅需5mA的驱动电流即可完全导通，兼容低功耗微处理器和电池供电系统，有利于降低系统整体功耗。

G3VM-61D1广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和低功耗的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，它常被用于构建高密度的信号路由网络，实现多通道信号的精确切换，其低RON和高带宽特性确保测试信号不失真。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、I/O扩展板或传感器接口单元中，作为数字或模拟信号的隔离开关，提供电气隔离和抗干扰能力。
　　在通信系统中，G3VM-61D1可用于射频或中频信号路径的切换，例如天线开关、滤波器选择或多路复用器，其快速响应和低插入损耗有助于维持通信链路的质量。医疗电子设备也广泛采用此类光继电器，如病人监护仪、诊断设备或便携式医疗仪器，因其无触点、无电磁干扰的特性，能够满足医疗设备对安全性和可靠性的严苛要求。
　　此外，在电池管理系统（BMS）、电源分配单元（PDU）或智能电表中，G3VM-61D1可用于电池单元的均衡控制、电压采样切换或电流路径管理，其低功耗和长寿命特点非常适合长期运行的应用场景。消费类电子产品中，如高端音频设备或智能家居控制模块，也可利用其静音操作和高保真信号传输能力，提升用户体验。

G3VM-61E1
　　G3VM-61G1
　　TLP3545